Lugar de origem: | China |
Marca: | INFI |
Preço: | Please contact us |
---|
Aplicações
Os elétrodos BDD (Boron-Doped Diamond) são excelentes na degradação de poluentes orgânicos complexos em todas as indústrias:
Resíduos farmacêuticos/químicos
Subprodutos petroquímicos e de cozimento
Corantes têxteis e efluentes de bronzeamento
Resíduos de lixiviação de aterros sanitários e explosivos
Águas residuais de celulose/papel e destilaria
- Não, não. | Nome do produto | Substratos | Especificações | Unidade |
1 | Eletrodo BDD | de teor, em peso, em peso, de alumínio | 5*5*0,55 mm | Peça |
2 | Eletrodo BDD | de teor, em peso, em peso, de sódio, | 5*5*1,0 mm 2 buracos abertos |
Peça |
3 | Eletrodo BDD | de teor, em peso, em peso, de sódio, | 5*5*1,0 mm 4 buracos abertos |
Peça |
4 | Eletrodo BDD | de teor, em peso, em peso, de sódio, | 8*6*1 Espartilhamento |
Peça |
5 | Eletrodo BDD | de teor, em peso, em peso, de sódio, | 7*7*0,5 mm | Peça |
6 | Eletrodo BDD | de teor, em peso, em peso, de alumínio | 10*10*0,625 mm | Peça |
7 | Eletrodo BDD | de teor, em peso, em peso, de sódio, | 10*10*0,625 mm | Peça |
8 | Eletrodo BDD | de teor, em peso, em peso, de sódio, | 10*10*0,5 mm | Peça |
Vantagens de desempenho
Eficiência superior: Supera os eletrodos PbO2/Pt na degradação orgânica com um consumo de energia 30% menor
Geração de ozono ecologicamente segura: Produção de ozono sem eletrólitos para purificação de águas
Durabilidade extrema: Resiste à corrosão em ambientes químicos agressivos
Propriedades dos semicondutores
Ultra Wide Bandgap: 5,47 eV (5 × silício ′s 1,1 eV) permite o funcionamento do dispositivo a alta temperatura/alta frequência
Conductividade térmica: 2.200 W/mK (5× cobre) reduz o tamanho/peso dos componentes nos amplificadores e lasers
Mobilidade dos elétrons: Maior mobilidade de buracos entre os materiais de banda larga, ideal para ICs de ondas milimétricas
Métricas técnicas
Índice Johnson: 8.200 (contra 410 para SiC)
Índice Baliga: Ótimo para sistemas de comutação de energia
Afinidade de elétrons negativos: permite aplicações de cátodos frios
Características fundamentais
Conductividade térmica ajustável: 1.000 ‰ 1.800 W/mK (9 × silício ‰ 139 W/mK)
Engenharia de precisão:
Tolerância de espessura: ±25 μm
Flatitude da superfície: < 4 μm/cm
Finish do lado do crescimento: < 100 nm Ra
Fino lateral de nucleação: < 30 nm Ra
Especificações normalizadas
Dimensões: Até Ø65 mm (personalizável)
Espessura:
Produto bruto: 0,3 ∼1,5 mm
Polido: 0,2 ∼1,0 mm
Densidade: 3,5 g/cm3
Modulo do Jovem: 1.000 ¥ 1.100 GPa
Aplicações térmicas
Montadores de diodos a laser de alta potência
Dispersores de calor de circuito integrado
Soluções térmicas compactas para eletrónica aeroespacial
Pessoa de Contato: Mrs. Alice Wang
Telefone: + 86 13574841950